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PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-55/55D系列不銹鋼單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-55/55D系列OEM單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-55/55D系列壓力變送器元件單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

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PT124G-3500-55/55D系列負壓力測量單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-55/55D系列高精度單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-55/55D系列溫度補償單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-55/55D系列高過壓性能單晶硅差壓傳感器采用進口*進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標準測量信號。

型號：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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